固溶处理：将合金加热至单相区（通常 480℃-540℃，视具体牌号而定），保温使第二相（如 Mg₂Si、CuAl₂）充分溶解，随后快速水冷淬火（转移时间通常<15 秒），抑制析出，获得室温下不稳定的过饱和固溶体 。
时效处理：将淬火后的合金在室温或加热状态下停放，过饱和固溶体分解，溶质原子偏聚形成 GP 区或过渡相，阻碍位错运动，从而产生沉淀强化效果 。
强化机理：析出相与基体共格/半共格产生畸变场，初期位错切割粒子强化，后期粒子粗化后位错绕过（Orowan 机制），峰值强度出现在亚稳过渡相阶段 。